A：D类或者K类音频功放输出为方波PWM载波形式，因此测量功率（电压）时，需要在两个输出各接一个低通滤波器将其开关调制频率滤除，然后测量滤波器的差分输出即可得到模拟输出信号。
图1 RC低通滤波器的电路
图2 搭建的RC低通滤波器实物图
低通滤波器推荐如下表中的电阻、电容值：
例如下图3测量AW87318输出端信号时，在两个输出各接一个低通滤波器将开关调制频率滤除，然后测量滤波器的差分输出即可得到模拟输出信号。
图3 AW87318输出测试
测试步骤：
1、滤波板与PA输出和示波器接线如下图4，滤波板输入与喇叭并联接到功放VON、VOP输出，滤波板输出接到示波器两个通道。
图4 滤波板与PA输出和示波器接线示例
2、示波器2个通道分别采集VON、VOP滤波后的波形，再做差得到最终的PA输出电压波形结果。
图五 示波器测试界面示例
PA输出功率计算： 
(
：喇叭的负载阻抗)
A：1．音频数字芯片搭配3.1版本数字底板使用时，在EVB板安装位置的背面，焊接0Ω电阻以连接外部PVDD电压，在数字底板的PVDD接口处连接正确的PVDD电压，即可实现芯片外供PVDD。
注意：
1. 配套的稳压电容的耐压值需大于35V；
2. 芯片是否支持PVDD外供，以及外供PVDD时的上电顺序，请参考具体的芯片手册。
A：MCU平台数字PA驱动不能直接使用acf bin文件，需要将acf bin转化为aw_params.h，步骤如下：
1、将acf bin文件比如aw883xx_acf.bin文件拷贝到PA驱动目录的acf_parse_h文件夹下：
2、在acf_parse_h目录下按shift+右键—>在此处打开PowerShell窗口：
3、调用acf_parse_h.exe工具将bin文件转化为aw_params.h
输入参数：acf_parse_h.exe aw883xx_acf.bin
转换成功会有”header file fill complete”信息提示，同时当前目录下会有aw_params.h文件生成：
4、将aw_params.h中的chip id修改成实际PA型号的ID：
5、使用修改后的h文件替换驱动中的原始文件即可。
备注：该方法适用于数字PA AW88166，AW88394，AW88399使用。
A：在常温误触测试过程中，将机器对空放置，用手触摸上天线，下天线diff值发生耦合上升。
可通过增加一个时隙，将上天线对应的CS作为下天线的参考通道。
以本测试为例，上天线对应CS3，将CS3映射为CH3，选择将CH3作为CH0的参考通道，将REFADOWNCOEF和REFAUPCOEF配置为1，以此抵消耦合上升量。
A:本文介绍如何使用scpV4打开已有（亿百提供）的acf.bin文件（适用于AW87565/AW87394/AW87391new/AW88271等功放参数），修改增益、功率等，然后重新输出生成acf.bin文件。具体操作如下：
1.打开页面选择open project file（bin）;
2.选择打开对应AW87565的acf.bin（初版由亿百提供）；
3.点击对应右侧场景（如music），按需求修改对应参数；
4.修改参数后，右击project，然后选择生成acf.bin，保存成修改后的文件名即可。
A：MTK HAL AURISYS场景切换支持两种方案实现：
1、 通过arsi_set_addr_value接口实现动态切换参数，可通过以下两种方式实现
（1）adb指令
adb shell "AudioSetParam AURISYS_SET_PARAM,HAL,ALL,AWINIC,ADDR_VALUE,0x10013d30, scene_id=SET"
（2）HAL 层调用 ;aurisys_set_parameter(const char *key_value_pair)接口：aurisys_set_parameter("AURISYS_SET_PARAM,HAL,ALL,AWINIC,ADDR_VALUE,0x10013d30,scene_id=SET");
2、通过audio_mode/reserve2参数进行切换
平台调用arsi_query_param_buf_by_custom_info/arsi_parsing_param_file_by_custom_info接口进行参数获取时，亿百通过接口中arsi_task_config_t结构体内audio_mode和reserve2两个参数进行场景参数的输出：
当reserve2等于0时，获取的场景ID等于audio_mode，如果reserve2不等于0，获取的场景ID等于reserve2+20。
A：AW9110C&AW9106C配置IIC到GPIO生效的时间间隔在100ns以内
测试速率：400k， 测量时间点：写output寄存器值后，芯片应答位到gpio生效的时间间隔
A：AW提供MCU代码中有该功能，打开步骤如下：
1、PA初始化信息中添加渐入渐出功能使能开关：
2、设置淡入淡出时间（设置参考值2-5ms）：
3、设置淡入淡出步长（一般保持默认值即可）
渐入、渐出功能作用时间 = 目标音量/步长 * 淡入淡出时间
A：
图1-AW88261FCR 1W扫频曲线
图1为AW88261FCR 20hz-20khz 1W输出功率时的扫频曲线，20Khz电压幅值比1Khz高0.21dB。
不同频点的输入信号幅值相同，输出电压幅值不同的原因是：在不同频点时PA的增益有差异，高频部分增益更大，所以扫频曲线高频部分电压更高。
图2 AW88261FCR不同频率的增益曲线
图2 是AW88261FCR规格书上不同频率的增益曲线，20Khz电压幅值比1Khz高约0.2dB。
（不同频率的增益不同，是CLASSD环路特性导致的，因为CLASSD环路存在极点，为了补偿环路稳定性，在环路带宽内会补偿零点，零点会导致高频增益出现上翘。）
一般PA 20-20khz增益差值在±0.5dB以内，一定范围内增益的偏差不会对用户使用产生影响。不同PA的增益曲线参考芯片规格书。
A：数字PA_I2S的DATAO中寄存器DOHZ和I2SDOSEL作用
如下图是规格书中说明
DOHZ：选择HiZ时，回传通道中未使用的通道都为高阻态，常用于多PA应用；选择ALL时，就是保持所有通道的数据。 I2SDOSEL：选择Zeros，则回传未使用的通道数据都为0；选择TXData时，回传未使用的通道复制使用通道的数据。
（当DOHZ选择ALL时，I2SDOSEL才能生效）
A：IEC61000-4-2中的静电放电抗扰度试验模型与JEDEC JESD22-A114（HBM）、JESD22-A116（CDM）的差异？
IEC 61000-4-2 中的静电放电抗扰度试验模型与 JEDEC JESD22-A114（HBM）、JESD22-A116（CDM）的差异主要体现在以下几个方面：
一、应用对象与测试场景
1. IEC 61000-4-2
该标准针对整机组装后的完整产品（如消费体育、工业设备），模拟实际使用环境中人体或物体通过金属工具对设备表面的静电放电场景。例如，用户触摸设备外壳或接口时的放电。其测试目的是验证设备在真实使用条件下的抗 ESD 干扰能力，确保功能不中断或性能不降级。
2. JEDEC JESD22-A114（HBM）
针对裸芯片或封装后的半导体器件，模拟人体带电后接触器件引脚的放电过程，主要用于评估器件在制造、运输和组装过程中的 ESD 防护能力。例如，操作员未佩戴防静电手环直接接触芯片引脚。
3. JEDEC JESD22-A116（CDM）
同样针对半导体器件，模拟器件自身带电后接触接地物体的放电场景，如芯片从料盒取出时因摩擦带电，随后接触 PCB 接地端。该模型更关注器件内部结构（如引线键合、封装材料）对瞬态大电流的耐受能力。
二、测试模型与电路参数
1. IEC 61000-4-2
o 等效电路：150pF 电容（模拟人体储能）+ 330Ω 电阻（模拟人体握持金属工具时的电阻）。
o 放电模式：
§ 接触放电：放电枪直接接触设备表面（如按键、接口），电压等级为 2kV、4kV、6kV、8kV。
§ 空气放电：放电枪靠近设备表面（不接触），通过空气击穿放电，电压等级为 2kV、4kV、8kV、15kV。
o 波形特性：
§ 接触放电波形上升时间为 0.7-1ns，第一峰值电流较高；空气放电因空气击穿延迟，上升时间可能更长（如 8kV 时上升时间为 1-5ns）。
§ 2025 版新增第二峰值（Ip2）要求，需在 10-40ns 内出现，误差 ±20%/+40%。
2. JEDEC JESD22-A114（HBM）
o 等效电路：100pF 电容（模拟人体电容）+ 1.5kΩ 电阻（模拟人体电阻）。
o 测试方法：通过引脚接触放电，对每个引脚施加正 / 负电压，电压等级分为 0 级（<100V）至 4 级（≥800V）。
o 波形特性：电流上升时间约 10ns，峰值电流较低（如 2kV 时约 1.3A），放电持续时间约 130-170ns。
3. JEDEC JESD22-A116（CDM）
o 等效电路：芯片先通过电源引脚充电至预设电压（如 500V、1000V），再通过其他引脚瞬间接地放电，等效电路包含芯片内部寄生电容和电感。
o 测试方法：对每个引脚进行正 / 负电压放电，电压等级分为 C0a（0-125V）至 C3（≥1000V）。
o 波形特性：电流上升时间 < 1ns，峰值电流是 HBM 的 15-20 倍（如 500V 时峰值电流可达 30A），放电过程呈现高频振荡（周期约 4ns）。
三、测试等级与失效判定
1. IEC 61000-4-2
o 等级划分：接触放电（1 级 2kV、2 级 4kV、3 级 6kV、4 级 8kV）；空气放电（1 级 2kV、2 级 4kV、3 级 8kV、4 级 15kV）。
o 失效判定：设备出现功能中断、重启、数据丢失或参数超出规格范围即判定为失效。
2. JEDEC JESD22-A114（HBM）
o 等级划分：0 级（<100V）至 4 级（≥800V），部分厂商扩展至 4 + 级（4000V）。
o 失效判定：器件在测试后出现漏电流超标、逻辑功能异常或物理损坏（如引线熔断）。
3. JEDEC JESD22-A116（CDM）
o 等级划分：C0a（0-125V）至 C3（≥1000V）。
o 失效判定：与 HBM 类似，但更关注芯片内部结构（如封装裂纹、金属化层熔断）的损伤。
四、波形差异与实际影响
1. 上升时间与能量
o HBM：上升时间较慢（10ns），能量主要集中在低频段，对器件的氧化层击穿风险较高。
o CDM：上升时间极快（<1ns），能量集中在高频段，易引发封装材料断裂或引线键合脱落。
o IEC 61000-4-2：接触放电上升时间介于 HBM 和 CDM 之间（0.7-1ns），空气放电因空气击穿延迟可能更长，需同时应对高频振荡和低频能量冲击。
2. 电流峰值
o HBM：2kV 时峰值电流约 1.3A。
o CDM：500V 时峰值电流可达 30A，是 HBM 的 23 倍。
o IEC 61000-4-2：8kV 接触放电峰值电流约 24A，空气放电因放电路径差异可能更高。
五、标准更新与行业趋势
1. IEC 61000-4-2:2025
o 新增空气放电尖端校准要求，强化波形参数（如 Ip2）测量精度。
o 引入地面水平金属板验证和测量不确定度评估，提升测试可重复性。
2. JEDEC JESD22-A114E（HBM）
o 细化测试流程，增加自动化测试设备兼容性要求，适应先进制程芯片的 ESD 防护需求。
3. JEDEC JESD22-C101（CDM）
o 优化充电 / 放电电路设计，减少测试设备寄生参数对结果的影响，更贴近实际场景。
总结
实际应用建议：
· 系统设计：需同时满足 IEC 61000-4-2 和器件级 HBM/CDM 要求，例如通过 TVS 二极管和接地设计提升整机抗扰度。
· 器件选型：优先选择 HBM≥2kV、CDM≥500V 的芯片，并参考厂商数据手册中的 ESD 等级。
· 测试策略：IEC 测试应覆盖设备所有外部接口和操作点，而 HBM/CDM 需对芯片所有引脚进行全面放电。
通过上述对比可见，IEC 61000-4-2 关注整机在真实使用中的抗干扰能力，而 JEDEC 标准聚焦器件自身的 ESD 防护性能，两者相互补充，共同保障体育产品的可靠性。
A：确认方法如下：
1、 adb root
2、 adb remount
3、 adb shell
4、 cd /sys/bus/i2c/drivers/ aw87xxx_pa ——进入亿百模拟PA对应的驱动位置
5、 ls ——打开当前文件夹，查看PA的I2C地址
6、 cd X-00xx ——进入PA当前的地址，X为I2C总线地址，xx为芯片I2C地址，例：地址为5-0058
7、 整机播放音乐或通话，使PA处于工作状态
8、 cat reg ——读取当前工作状态下的所有寄存器值
再根据手册查看0X01寄存器值所代表的含义，就可判断当前PA的工作状态是否正常，如下表：
Bit3：表示speaker/receiver模式配置，0：听筒模式；1：喇叭模式
Bit2：表示PA的工作状态，0：PA关闭；1：PA打开
A：MTK平台SKTune_V7算法验证生效后，选择播放单声道音源（如仅左声道有音频数据的音源），然后针对MTK平台两种算法集成方案，分别执行对应adb命令。
1、MTK HAL Aurisys算法方案旋转命令：
adb shell "AudioSetParam AURISYS_SET_PARAM,HAL,ALL,AWINIC,ADDR_VALUE,0x10013D2E,spin_mode=SET"
2、MTK Open DSP算法方案旋转命令：
adb shell "AudioSetParam AURISYS_SET_PARAM,DSP,ALL,AWINIC,ADDR_VALUE,0x10013D2E,spin_mode=SET"
其中spin_mode取值0、1、2、3，分别表示0°、90°、180°、270°四个旋转角度，然后观察喇叭声道旋转结果。
A：打开步骤如下：
1、设置设备树属性fade-enable = 1
2、设置淡入淡出时间（设置参考值2-5ms）：
3、设置淡入淡出步长（一般保持默认值即可）
渐入、渐出功能作用时间 = 目标音量/步长 * 淡入淡出时间
A： 使用SKT_V7及以上版本UI生成参数时，会同时有多个场景参数，如下图：
AW_DSP.bin算法参数加载需要先加载ID=0的场景，仅配置一个ID≠0的场景，会导致算法无法加载默认场景，算法运行异常，概率存在无声、杂音等问题；
所以用SKT_V7以上版本生成单场景参数时，需要先修改单场景ID=0，再导出参数给整机使用，如下图：
中文
