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FAQ0100284: 如何在不可拆机情况下通过频响曲线判断无分频网络产品立体声相位问题.
2021年07月

1)分别测量左声道频响,右声道频响,整机频响进行对比。麦克风正对产品中心,距离按照不同整机大小权衡,

例如如图手机20CM左右即可。测试过程中不要移动整机与麦克风的位置。

2)如整机低频截止频率,明显高于某一声道单独播放的截止频率,此时喇叭反相。截止频率关系如图,B的截止频率高于A。

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FAQ0500059: AW8646电流如何配置?
2021年07月

AW8646驱动步进电机时有两个电流设置,Imax与IFS

Imax:为系统能提供的最大输出电流,其计算公式为 1.jpg

IFS:配置芯片输出的电流大小,其计算公式为 2.jpg

在设计时,需要满足:

Imax > IFS ,否则会截顶,考虑到设计冗余,应当留出一定的裕量,如Imax ≥ IFS + 50mA

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           图1:Imax > IFS 时,电流曲线正常                 图2:Imax < IFS 时,电流出现截顶     

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FAQ0500063: 线性马达驱动做开机震动、关机震动应用时,有哪些注意事项?
2021年07月

考虑逻辑:芯片掉电或者异常复位后没有重新初始化,会导致关机状态下无法支持震动,重新开机软件配置后可以恢复。

1、使用过程中保持RSTN一直为高——手机关机也需要硬件保证为高电平。

2、使用过程中保持供电一直有效——手机关机,IC不掉电。

3、建议开关机时主动做一次复位、重新初始化动作——需要硬件GPIO可以控制RSTN状态变化。

4、开机后建议软件关闭trig模式,由AP统一通过调度不同的震动动作,关机前使芯片进入trig模式。

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FAQ0300130: DCDC 中,输出端泄放电阻作用是什么,如何测量?应用中要注意什么?
2021年07月

泄放电阻作用:

为了给储能元件提供一个消耗能量的通道。

关断芯片时,输出端能量需要快速泄放,负载端也要快速下电,满足负载下电时序要求。

 

泄放电阻的测试方法:

  1.VIN 接电源,EN=0V,直接用万用表测量VOUT对地阻抗。

2.VIN=0V,EN=0V,VOUT接电源,通过R=U/I计算。


应用中注意点:

 若有泄放电阻,需要考虑实际应用中,负载会不会倒灌,增加漏电流,这种情况需要加隔离措施。

 因为有的负载不止一路供电,关断其中一路供电,其他供电可能会通过泄放电阻漏电。

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FAQ0100156: 音频芯片若i2c_probe未被调用,如何排查?
2021年07月

(以数字PA aw882xx driver code为例

1.确认DTS中修改位置正确,编译生效

执行adb shell指令

cd /sys/firmware/devicetree/base/soc/或cd /sys/firmware/devicetree/base/进入目录,再根据PA所挂载的i2c总线号打开对应目录,目录下有aw882xx_smartpa的节点则编译生效。


以QCOM平台,i2c0为例:cd /sys/firmware/devicetree/base/soc/i2c@4a84000,可以看到有aw882xx_smartpa@34和aw882xx_smartpa@35,说明dts修改生效;

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以MTK平台,i2c6为例:cd /sys/firmware/devicetree/base/i2c6@11f00000,可以看到有aw882xx_smartpa@34,说明dts修改生效;

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若上述验证不通过,需要检查所修改的dts是否有被编译到;


2.确认驱动移植编译生效

kernel log检索i2c_init,若有“aw882xx_i2c_init: aw882xx driver version…”说明驱动移植编译生效;若未进入i2c_init,需要检查编译配置,驱动是否有编译到;

确认设备树配置的compatible属性和驱动定义的compatible是否一致;

(1)设备树的compatible:

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(2)驱动(以AW882XX为例)中定义了多个compatible,有一个匹配即可;

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不匹配,需要修改设备树,按照驱动定义修改一致。


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FAQ0100162: 高通平台,如何确认算法集成所用json文件的位置?
2021年07月

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在项目文件夹会有如下诸多平台信息:

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其中有且仅有一个文件会被项目所使用并编译,未使用到的不会进行编译;

一般应用的文件和平台型号同名,特殊情况下需要自行查看相关Makefile中的指定编译目录;

额外参考方案:

检索所有custom_libs_cfg.json文件,将其进行错误改动;编译error,查看哪一个custom_libs_cfg.json报错,则可确定具体使用的文件。


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FAQ0100163: 高通平台,如何确认亿百算法库正确编译到镜像文件中?
2021年07月

1、编译完成后,系统会自动生成NON-HLOS.bin镜像文件,参考如图所示方法检索镜像文件中Awinic字段;

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如有相关Awinic字段信息打印,则表示算法库已成功编译到镜像文件当中,使用fastboot flash modem NON-HLOS.bin命令将镜像文件刷入到modem分区当中。


2、如未打印如上”Awinic”的信息,修改OEM_ROOT的路径后再进行编译;

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参考示例:

编译log中的OEM_ROOT=OEM_ROOT(/work/829-sm6350)+adsp_proc/hap/oem;若在build.py中更改为OEM_ROOT=OEM_ROOT+/hap/oem,则会导致编译不到算法库(awinic_sp放在/adsp_proc/hap/oem目录下)。

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FAQ0100164: 高通平台,如何查看机器中所使用acdb文件的位置?
2021年07月

使用adb root�adb shell进入到手机目录下

放音乐的情况下,输入命令pkill audioserver后输入logcat |grep acdb命令,会有如下信息打印:

1.png

以参考图为例,即图中所使用的acdb文件在/vendor/etc/acdbdata/MTP/trinket-miami-snd-card目录下。

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FAQ0100165: 高通平台,push acdb后,发生开机死机或播放音乐死机的情况,如何解决?
2021年07月

参考log:

通过使用QXDM工具抓取串口log,死机会打印如下信息:

1.png


解决方案:

给到AW检查acdb中算法模块的版本是否和所使用的AW算法库版本相对应

参考(以MEC为例):

1)打开算法包中capi_v2_awinic_calib.xml文件:

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2)查看MEC模块的参数个数为1130:

3.png


3)使用QACT工具打开acdb文件,双击打开MEC模块,查看模块中参数个数是否和xml文件中参数个数相同(下图模块中参数个数为739,与xml文件中参数个数不同,即会发生push acdb后,发生开机死机或播放音乐死机的情况)。

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FAQ0100181: 高通平台AP-DSP通信失败如何分析?
2021年07月

1.确认q6afe.c和驱动中TX及RX的 port id,module id,topo id以及param id配置, port id要与实际使用的I2S对应, module id,topo id以及param id要与ACDB中的配置一致

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2.afe_callback函数patch添加错误;

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要根据平台来确定使用V2还是V3 的patch,上图异常就是误合入V2 patch引起;

如下左图为V3的patch,右图为V2的patch;

3.png 7.png


3.mi2s_dai_config->pdata_mi2s_lines配置异常;

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dtsi中参考修改如下:

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其中rx-lines和tx-lines的参数配置,要根据原理图连接确定(如下0-3的定义仅供参考,具体需要查阅平台手册):

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FAQ0100182: 高通平台如何排查数字PA无IV数据返回?
2021年07月

1.平台TX配置问题,Channel 配置和feedback不匹配,num channel配错或feedback 配错

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若num channel配置同实际PA个数不一致,在平台machine.c中查找mi2s_tx_cfg,根据实际PA进行配置,单pa,rx及tx设置为1;双pa,rx及tx设置为2;4 pa,rx及tx设置为4:

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若num channel配置同实际PA个数一致但同feedback配置不一致,检查kernel log是否左右声道feedback均已打开,log及修改方法如下:

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2.平台feedback配置异常。具体参考FAQ0100187:如何排查高通平台TX PCM open failed


3.PA端tx寄存器配置异常

 AW882xx:0x07寄存器bit 0配置tx使能

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4.ACDB配置问题,TX没有打开或者没添加TX模块。

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在ACDB中添加AW的tx module,并使能模块,具体如下图:

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FAQ0500239: AW86006设计时,AVDD、DVDD、VM三个电源上电容的地有什么区别吗?如何连接?
2021年07月

AVDD电容地为芯片数字地(DRV_GND),连接到芯片AVSS,建议在芯片远端连接到DGND;

IOVDD电容地连接到Sensor地(DGND);

VM的电容地为芯片的模拟地,连接到芯片PGND,建议单独走线到模组BTB。

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FAQ0500240: 马达Hall如何与aw86006连接?
2021年07月

以X轴Hall为例连接方式如下:

霍尔 IN - :连接AW86006芯片HLXBO

霍尔 IN+连接AW86006芯片AVDD

霍尔差分信号输入连接AW86006芯片OPINMX和OPINPX

详细连接方式如下图:

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FAQ0500246: AW86006内部是否有DSP?是否可以修改算法?使用什么语言编译?
2021年07月

AW86006 内部有DSP运算单元,支持用户使用C语言进行二次开发算法。

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FAQ0300256: 开尔文法测试电阻原理和操作方法
2021年07月

万用表测试电阻原理:通过施加固定电流,测量电阻两端电压,计算得到被测电阻R值。

对于测量精密电阻,要考虑接触阻抗和线材的影响,可使用开尔文测试(四线检测)如下图。

测量电阻R时,通过电流源施加取样电流,再通过电压测量单元进行测试。

Rl为测量导线阻抗,和被测电阻R是串联关系,被测电阻R电流为恒流源输出电流,电压测量单元输入端输入阻抗较高(MΩ或更高),电压检测回路中电流很小, Rl电压很小,所以测量的电压就近似等于电阻两端的实际电压。

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操作方法,以KEYSIGHT 34465A数字万用表为例:

1、设置四线检测模式:shift---Ω4W,切换到四线检测,量程选Auto也可以选其它对应范围;

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2、按图示连线,接上被测电阻,读出电阻值;如下图中电阻标称4Ω,测出来值为3.9824Ω。

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FAQ0200257: 背光驱动最亮和最暗时的效率,主要和那些外围器件有关?
2021年07月

1. 最亮时效率,主要和功率电感有关,功率电感DCR越大,消耗在电感上能量越多,效率越低;

  其次,二级管Vf值越高,需要抬升的电压也越高,效率就越低。

2. 最暗时效率,主要和二极管寄生电容有关,寄生电容越大,反向电流越大,恢复时间越长,效率越低;

  最亮时总功率较大,寄生电容影响不明显,最暗时总的功率较小,寄生电容影响比较明显。

  当二极管外加电压极性反转时,其原工作状态不能在瞬间完全随之变化,外加电压从正向偏置变成反向偏置时,二极管中电流由正向变成反向,经过一定时间后反向电流才变得很小。

  这个时间TRR为反向恢复时间,反向电流和反向恢 复时间受二极管的寄生电容影响。

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FAQ0200258: 背光电路中输入输出电容的值如何选择?
2021年07月

输入电容:

   推荐用10uF,耐压值6.3V以上,低ESR,X5RX7R电容。

   另外,加一个100nF电容与输入电容并联,用于抑制高频噪声。


输出电容:

   推荐用1uF,耐压值50V,低ESR,X5RX7R电容

   另外,加一个33pf电容与输出电容并联,用于抑制二次谐波。

   输出电容主要影响升压电路的环路稳定性, 在选型时注意电容在高压下有效容值, 在应用中需要保证的电容的有效容值不小于 0.2μF

   最小有效容值计算,假设电容的ESR为零,则给定纹波所需的最小电容为:

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FAQ0200259: 背光驱动中VIN的电流多大?
2021年07月

背光驱动中VIN不过大电流,为控制单元供电,电流 mA级。

AW99703 VIN=3V~5.5V, VIN电流为 1.6mA左右

  AW9962E VIN=3V~5.5V, VIN电流为 2.0mA左右

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FAQ0200273: AW3641E flash 电流如何配置?
2021年07月

AW3641E可以通过给EN引脚发一线脉冲信号来配置flash模式的电流和time out时间。

其中,一线脉冲的标准脉冲宽度如图1所示。

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            &nbsp;  ;     图1 EN引脚的一线脉冲波形


所发的一线脉冲上升沿个数和flash电流及time out时间对应关系如表1所示。

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       表1 一线脉冲和flash 电流及time out时间关系

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FAQ0200274: AW3641E 的打闪时间如何配置为600ms?
2021年07月

AW3641E芯片自带的time out时间仅有220ms和1.3s两档可配,但可以通过主控控制flash拉高的时间来控制打闪时间。

应用中需要600ms的打闪时间时,先通过EN引脚发一线脉冲信号,将芯片默认的time out时间配置到1.3s,在亮灯动作时,通过控制flash拉高的时间为600ms,来实现600ms的打闪时间。


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