1)分别测量左声道频响,右声道频响,整机频响进行对比。麦克风正对产品中心,距离按照不同整机大小权衡,
例如如图手机20CM左右即可。测试过程中不要移动整机与麦克风的位置。
2)如整机低频截止频率,明显高于某一声道单独播放的截止频率,此时喇叭反相。截止频率关系如图,B的截止频率高于A。
AW8646驱动步进电机时有两个电流设置,Imax与IFS
Imax:为系统能提供的最大输出电流,其计算公式为
IFS:配置芯片输出的电流大小,其计算公式为
在设计时,需要满足:
Imax > IFS ,否则会截顶,考虑到设计冗余,应当留出一定的裕量,如Imax ≥ IFS + 50mA
图1:Imax > IFS 时,电流曲线正常 图2:Imax < IFS 时,电流出现截顶
考虑逻辑:芯片掉电或者异常复位后没有重新初始化,会导致关机状态下无法支持震动,重新开机软件配置后可以恢复。
1、使用过程中保持RSTN一直为高——手机关机也需要硬件保证为高电平。
2、使用过程中保持供电一直有效——手机关机,IC不掉电。
3、建议开关机时主动做一次复位、重新初始化动作——需要硬件GPIO可以控制RSTN状态变化。
4、开机后建议软件关闭trig模式,由AP统一通过调度不同的震动动作,关机前使芯片进入trig模式。
泄放电阻作用:
为了给储能元件提供一个消耗能量的通道。
关断芯片时,输出端能量需要快速泄放,负载端也要快速下电,满足负载下电时序要求。
泄放电阻的测试方法:
1.VIN 接电源,EN=0V,直接用万用表测量VOUT对地阻抗。
2.VIN=0V,EN=0V,VOUT接电源,通过R=U/I计算。
应用中注意点:
若有泄放电阻,需要考虑实际应用中,负载会不会倒灌,增加漏电流,这种情况需要加隔离措施。
因为有的负载不止一路供电,关断其中一路供电,其他供电可能会通过泄放电阻漏电。
(以数字PA aw882xx driver code为例)
1.确认DTS中修改位置正确,编译生效
执行adb shell指令
cd /sys/firmware/devicetree/base/soc/或cd /sys/firmware/devicetree/base/进入目录,再根据PA所挂载的i2c总线号打开对应目录,目录下有aw882xx_smartpa的节点则编译生效。
以QCOM平台,i2c0为例:cd /sys/firmware/devicetree/base/soc/i2c@4a84000,可以看到有aw882xx_smartpa@34和aw882xx_smartpa@35,说明dts修改生效;
以MTK平台,i2c6为例:cd /sys/firmware/devicetree/base/i2c6@11f00000,可以看到有aw882xx_smartpa@34,说明dts修改生效;
若上述验证不通过,需要检查所修改的dts是否有被编译到;
2.确认驱动移植编译生效
kernel log检索i2c_init,若有“aw882xx_i2c_init: aw882xx driver version…”说明驱动移植编译生效;若未进入i2c_init,需要检查编译配置,驱动是否有编译到;
确认设备树配置的compatible属性和驱动定义的compatible是否一致;
(1)设备树的compatible:
(2)驱动(以AW882XX为例)中定义了多个compatible,有一个匹配即可;
若不匹配,需要修改设备树,按照驱动定义修改一致。
在项目文件夹会有如下诸多平台信息:
其中有且仅有一个文件会被项目所使用并编译,未使用到的不会进行编译;
一般应用的文件和平台型号同名,特殊情况下需要自行查看相关Makefile中的指定编译目录;
额外参考方案:
检索所有custom_libs_cfg.json文件,将其进行错误改动;编译error,查看哪一个custom_libs_cfg.json报错,则可确定具体使用的文件。
1、编译完成后,系统会自动生成NON-HLOS.bin镜像文件,参考如图所示方法检索镜像文件中Awinic字段;
如有相关Awinic字段信息打印,则表示算法库已成功编译到镜像文件当中,使用fastboot flash modem NON-HLOS.bin命令将镜像文件刷入到modem分区当中。
2、如未打印如上”Awinic”的信息,修改OEM_ROOT的路径后再进行编译;
参考示例:
编译log中的OEM_ROOT=OEM_ROOT(/work/829-sm6350)+adsp_proc/hap/oem;若在build.py中更改为OEM_ROOT=OEM_ROOT+/hap/oem,则会导致编译不到算法库(awinic_sp放在/adsp_proc/hap/oem目录下)。
使用adb root�adb shell进入到手机目录下
播放音乐的情况下,输入命令pkill audioserver后输入logcat |grep acdb命令,会有如下信息打印:
以参考图为例,即图中所使用的acdb文件在/vendor/etc/acdbdata/MTP/trinket-miami-snd-card目录下。
参考log:
通过使用QXDM工具抓取串口log,死机会打印如下信息:
解决方案:
给到AW检查acdb中算法模块的版本是否和所使用的AW算法库版本相对应
参考(以MEC为例):
1)打开算法包中capi_v2_awinic_calib.xml文件:
2)查看MEC模块的参数个数为1130:
3)使用QACT工具打开acdb文件,双击打开MEC模块,查看模块中参数个数是否和xml文件中参数个数相同(下图模块中参数个数为739,与xml文件中参数个数不同,即会发生push acdb后,发生开机死机或播放音乐死机的情况)。
1.确认q6afe.c和驱动中TX及RX的 port id,module id,topo id以及param id配置, port id要与实际使用的I2S对应, module id,topo id以及param id要与ACDB中的配置一致;
2.afe_callback函数patch添加错误;
要根据平台来确定使用V2还是V3 的patch,上图异常就是误合入V2 patch引起;
如下左图为V3的patch,右图为V2的patch;
3.mi2s_dai_config->pdata_mi2s_lines配置异常;
dtsi中参考修改如下:
其中rx-lines和tx-lines的参数配置,要根据原理图连接确定(如下0-3的定义仅供参考,具体需要查阅平台手册):
1.平台TX配置问题,Channel 配置和feedback不匹配,num channel配错或feedback 配错:
若num channel配置同实际PA个数不一致,在平台machine.c中查找mi2s_tx_cfg,根据实际PA进行配置,单pa,rx及tx设置为1;双pa,rx及tx设置为2;4 pa,rx及tx设置为4:
若num channel配置同实际PA个数一致,但同feedback配置不一致,检查kernel log,是否左右声道feedback均已打开,log及修改方法如下:
2.平台feedback配置异常。具体参考FAQ0100187:如何排查高通平台TX PCM open failed
3.PA端tx寄存器配置异常
AW882xx:0x07寄存器bit 0配置tx使能
4.ACDB配置问题,TX没有打开或者没添加TX模块。
在ACDB中添加AW的tx module,并使能该模块,具体如下图:
AVDD电容地为芯片数字地(DRV_GND),连接到芯片AVSS,建议在芯片远端连接到DGND;
IOVDD电容地连接到Sensor地(DGND);
VM的电容地为芯片的模拟地,连接到芯片PGND,建议单独走线到模组BTB。
以X轴Hall为例连接方式如下:
霍尔 IN - :连接AW86006芯片HLXBO
霍尔 IN+ :连接AW86006芯片AVDD
霍尔差分信号输入:连接AW86006芯片OPINMX和OPINPX
详细连接方式如下图:
万用表测试电阻原理:通过施加固定电流,测量电阻两端电压,计算得到被测电阻R值。
对于测量精密电阻,要考虑接触阻抗和线材的影响,可使用开尔文测试(四线检测)如下图。
测量电阻R时,通过电流源施加取样电流,再通过电压测量单元进行测试。
Rl为测量导线阻抗,和被测电阻R是串联关系,被测电阻R电流为恒流源输出电流,电压测量单元输入端输入阻抗较高(MΩ或更高),电压检测回路中电流很小, Rl电压很小,所以测量的电压就近似等于电阻两端的实际电压。
操作方法,以KEYSIGHT 34465A数字万用表为例:
1、设置四线检测模式:shift---Ω4W,切换到四线检测,量程选Auto也可以选其它对应范围;
2、按图示连线,接上被测电阻,读出电阻值;如下图中电阻标称4Ω,测出来值为3.9824Ω。
1. 最亮时效率,主要和功率电感有关,功率电感DCR越大,消耗在电感上能量越多,效率越低;
其次,二级管Vf值越高,需要抬升的电压也越高,效率就越低。
2. 最暗时效率,主要和二极管寄生电容有关,寄生电容越大,反向电流越大,恢复时间越长,效率越低;
最亮时总功率较大,寄生电容影响不明显,最暗时总的功率较小,寄生电容影响比较明显。
当二极管外加电压极性反转时,其原工作状态不能在瞬间完全随之变化,外加电压从正向偏置变成反向偏置时,二极管中电流由正向变成反向,经过一定时间后反向电流才变得很小。
这个时间TRR为反向恢复时间,反向电流和反向恢 复时间受二极管的寄生电容影响。
输入电容:
推荐用10uF,耐压值6.3V以上,低ESR,X5R 或 X7R电容。
另外,加一个100nF电容与输入电容并联,用于抑制高频噪声。
输出电容:
推荐用1uF,耐压值50V,低ESR,X5R 或 X7R电容;
另外,加一个33pf电容与输出电容并联,用于抑制二次谐波。
输出电容主要影响升压电路的环路稳定性, 在选型时注意电容在高压下有效容值, 在应用中需要保证的电容的有效容值不小于 0.2μF。
最小有效容值计算,假设电容的ESR为零,则给定纹波所需的最小电容为:
背光驱动中VIN不过大电流,为控制单元供电,电流 mA级。
AW99703 VIN=3V~5.5V, VIN电流为 1.6mA左右
AW9962E VIN=3V~5.5V, VIN电流为 2.0mA左右
AW3641E可以通过给EN引脚发一线脉冲信号来配置flash模式的电流和time out时间。
其中,一线脉冲的标准脉冲宽度如图1所示。
图1 EN引脚的一线脉冲波形
所发的一线脉冲上升沿个数和flash电流及time out时间对应关系如表1所示。
表1 一线脉冲和flash 电流及time out时间关系
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